EHB 443E — CMOS RF Circuit Design Not Dağılımı
İTÜ EHB 443E (CMOS RF Circuit Design) dersinin geçmiş dönem harf notu dağılımları. 39 öğrencinin notu, 2 dönem üzerinden listelenmiştir.
En son dönem (2014-2015 Bahar Dönemi): 15 öğrenci, ortalama 1.90, başarısızlık oranı %6.7.
Ders katalog bilgileri
CMOS Yüksek Devre Frekans Tasarımı
CMOS RF Circuit Design
- Kredi
- 3
- AKTS
- 5
- Saat (T+U+L)
- 3+0+0
- Önkoşul
- Var
- 01EHB 262veyaEHB 262E
- 02EEF 262veyaEEF 262E
CMOS tümleşik devrelerde kullanılan pasif elemanlar; kırmık içi direnç, kondansatör ve endüktanslar. MOS transistorların yüksek frekanslardaki davranışları. Temel devrelerin geniş bant uygulamaları için analizi ve tasarımı. Akortlu kuvvetlendiriciler; düşük Q lu devrelere özgü sorunlar, LNA (düşük güçlü kuvvetlendiriciler), Q yükseltme, kademeli akort v.b. uygulamalar. Kırmık düzeyi parazitikler; ara bağlantılar, giriş-çıkış sorunları, gürültü etkileşimi. Ölçme teknikleri.
Dönem bazında not dağılımı
2014-2015 Bahar Dönemi
15 öğrenci · Ortalama 1.90 · Başarısız %6.7
| Not | Öğrenci | Oran | Dağılım |
|---|---|---|---|
| AA | 2 | %13.3 | |
| BA | 1 | %6.7 | |
| BB | 1 | %6.7 | |
| CC | 3 | %20.0 | |
| DC | 2 | %13.3 | |
| DD | 5 | %33.3 | |
| FF | 1 | %6.7 |
2013-2014 Güz Dönemi
24 öğrenci · Ortalama 2.06 · Başarısız %8.3
| Not | Öğrenci | Oran | Dağılım |
|---|---|---|---|
| AA | 3 | %12.5 | |
| BA | 1 | %4.2 | |
| BB | 2 | %8.3 | |
| CB | 3 | %12.5 | |
| CC | 5 | %20.8 | |
| DC | 5 | %20.8 | |
| DD | 3 | %12.5 | |
| FF | 2 | %8.3 |